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SIHP068N60EF-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 41A TO220AB

nicht konform

SIHP068N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.75000 $5.75
500 $5.6925 $2846.25
1000 $5.635 $5635
1500 $5.5775 $8366.25
2000 $5.52 $11040
2500 $5.4625 $13656.25
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 41A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 68mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 77 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2628 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NVR4501NT1G
NVR4501NT1G
$0 $/Stück
STB18NM80
STB18NM80
$0 $/Stück
IRFI840BTU
APT29F100B2
2N7002MTF
STW40N95DK5
PHP18NQ11T,127
APT5010JVR

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