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SIHP186N60EF-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB

nicht konform

SIHP186N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.08890 $2.0889
500 $2.068011 $1034.0055
1000 $2.047122 $2047.122
1500 $2.026233 $3039.3495
2000 $2.005344 $4010.688
2500 $1.984455 $4961.1375
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 193mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1081 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 156W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS4C03NT3G
NVMFS4C03NT3G
$0 $/Stück
NTE2380
NTE2380
$0 $/Stück
CSD22202W15
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$0 $/Stück
FQPF13N06L
FQPF13N06L
$0 $/Stück
DMN2250UFB-7B
FDS86140
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$0 $/Stück
NTMFS4708NT1G
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$0 $/Stück
SI4431CDY-T1-GE3

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