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SIHP22N60AE-GE3

SIHP22N60AE-GE3

SIHP22N60AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB

nicht konform

SIHP22N60AE-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.15000 $4.15
10 $3.71000 $37.1
100 $3.04200 $304.2
500 $2.46328 $1231.64
1,000 $2.07746 -
3,000 $1.97359 -
5,000 $1.89939 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 96 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1451 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 179W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STP62NS04Z
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$0 $/Stück
ZXMP7A17KQTC
IXFN170N25X3
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$0 $/Stück
ECH8656-TL-H
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$0 $/Stück
FDBL0090N40
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$0 $/Stück
IXTA3N120HV
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$0 $/Stück
DMN4025LSD-13
IXFA38N30X3
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IXFR16N120P
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