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SIHP23N60E-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 23A TO220AB

nicht konform

SIHP23N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.39000 $3.39
500 $3.3561 $1678.05
1000 $3.3222 $3322.2
1500 $3.2883 $4932.45
2000 $3.2544 $6508.8
2500 $3.2205 $8051.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 158mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2418 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 227W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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