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SIHP35N60E-GE3

SIHP35N60E-GE3

SIHP35N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB

compliant

SIHP35N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.70000 $6.7
10 $5.98400 $59.84
100 $4.90690 $490.69
500 $3.97338 $1986.69
1,000 $3.35104 -
3,000 $3.18349 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 32A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 94mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 132 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2760 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

FCPF16N60NT
FCPF16N60NT
$0 $/Stück
PMX100UNZ
PMX100UNZ
$0 $/Stück
SQM40N15-38_GE3
SI4103DY-T1-GE3
SI7430DP-T1-E3
18N10
18N10
$0 $/Stück
DMN3016LFDF-13

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