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SIHS20N50C-E3

SIHS20N50C-E3

SIHS20N50C-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 20A SUPER247

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SIHS20N50C-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
500 $5.40486 $2702.43
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 270mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 76 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2942 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250mW (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket SUPER-247™ (TO-274AA)
Paket / Koffer TO-274AA
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Zugehörige Teilenummer

FDD5N53TM
STP160N3LL
STP160N3LL
$0 $/Stück
RM4N650T2
RM4N650T2
$0 $/Stück
DMP4025LSSQ-13
STP20N90K5
STP20N90K5
$0 $/Stück
BTS130-E3045A
FCPF190N60-F154
FCPF190N60-F154
$0 $/Stück
APT13F120S
BUK9Y38-100E,115

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