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SIHU3N50D-GE3

SIHU3N50D-GE3

SIHU3N50D-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 3A TO251

compliant

SIHU3N50D-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.39324 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 175 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 69W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251AA
Paket / Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Zugehörige Teilenummer

GKI03039
GKI03039
$0 $/Stück
RM4P20ES6
RM4P20ES6
$0 $/Stück
SQS482EN-T1_GE3
SIHP5N50D-E3
SIHP5N50D-E3
$0 $/Stück
SISS26LDN-T1-GE3
FDD2570
SQ4401EY-T1_BE3
DMN24H3D5L-13

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