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SIJ128LDP-T1-GE3

SIJ128LDP-T1-GE3

SIJ128LDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK

SOT-23

nicht konform

SIJ128LDP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.68000 $1.68
500 $1.6632 $831.6
1000 $1.6464 $1646.4
1500 $1.6296 $2444.4
2000 $1.6128 $3225.6
2500 $1.596 $3990
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10.2A (Ta), 25.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 15.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1250 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.6W (Ta), 22.3W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IRFB4610PBF
SIHB33N60E-GE3
SIHP21N80AEF-GE3
AUIRFR4620TRL
RFP50N06
RFP50N06
$0 $/Stück
DMN3051L-7
IRF540SPBF
IRF540SPBF
$0 $/Stück

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