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SIJA58ADP-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK

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SIJA58ADP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.46576 -
6,000 $0.44389 -
15,000 $0.42827 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 61 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3030 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

STF120NF10
STF120NF10
$0 $/Stück
SFS9634
IXFB82N60P
IXFB82N60P
$0 $/Stück
FQU1N80TU
CSD16404Q5A
CSD16404Q5A
$0 $/Stück
IRLU110PBF
IRLU110PBF
$0 $/Stück
IRFZ40PBF-BE3
IRF6644TRPBF
IXTK550N055T2
IXTK550N055T2
$0 $/Stück

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