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SIR112DP-T1-RE3

SIR112DP-T1-RE3

SIR112DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK

nicht konform

SIR112DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.65321 -
6,000 $0.62254 -
15,000 $0.60064 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 37.6A (Ta), 133A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.96mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 89 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4270 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

2N7000RLRMG
2N7000RLRMG
$0 $/Stück
SIHA15N80AEF-GE3
FDP150N10
FDP150N10
$0 $/Stück
IRFP450LCPBF
IRFP450LCPBF
$0 $/Stück
FDS6675BZ
FDS6675BZ
$0 $/Stück
IRF840PBF-BE3
STP20N60M2-EP
SI8472DB-T2-E1

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