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STP20N60M2-EP

STP20N60M2-EP

STP20N60M2-EP

MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220

compliant

STP20N60M2-EP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.18030 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 110W (Tc)
Betriebstemperatur -
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SI8472DB-T2-E1
AUIRF1404S
IXTH40N50L2
IXTH40N50L2
$0 $/Stück
STD13N60DM2
PMZB320UPE,315
SIHB4N80E-GE3
APTM50UM09FAG

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