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STD13N60DM2

STD13N60DM2

STD13N60DM2

MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

STD13N60DM2 Technisches Datenblatt

compliant

STD13N60DM2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.91455 -
5,000 $0.88452 -
12,500 $0.86814 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 365mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 730 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 110W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

PMZB320UPE,315
SIHB4N80E-GE3
APTM50UM09FAG
SQJ402EP-T1_BE3
RM2305B
RM2305B
$0 $/Stück
FDFS2P102
2SK4089LS
2SK4089LS
$0 $/Stück
SIR880DP-T1-GE3

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