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SIR1309DP-T1-GE3

SIR1309DP-T1-GE3

SIR1309DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

compliant

SIR1309DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.99000 $0.99
500 $0.9801 $490.05
1000 $0.9702 $970.2
1500 $0.9603 $1440.45
2000 $0.9504 $1900.8
2500 $0.9405 $2351.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19.1A (Ta), 65.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 87 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3250 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

NTD70N03R-001
NTD70N03R-001
$0 $/Stück
SIHB30N60ET5-GE3
IXFK360N10T
IXFK360N10T
$0 $/Stück
STFI13N95K3
STP3LN62K3
STP3LN62K3
$0 $/Stück
FDZ7296
G3R20MT12K
FQA10N80C

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