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SIR164DP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

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SIR164DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.65206 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 123 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3950 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 69W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IXFN36N100
IXFN36N100
$0 $/Stück
IXTY1R6N50D2
IXTY1R6N50D2
$0 $/Stück
SIHB24N65E-GE3
RRH140P03GZETB
2SK3019TL
2SK3019TL
$0 $/Stück
SISH615ADN-T1-GE3
IRFR120TRRPBF-BE3
NTD4970N-1G
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$0 $/Stück

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