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SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

compliant

SIR422DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.55760 -
6,000 $0.53142 -
15,000 $0.51272 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 48 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1785 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 34.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IRFP150PBF
IRFP150PBF
$0 $/Stück
IRF7821TRPBF
NVMFS6H836NT3G
NVMFS6H836NT3G
$0 $/Stück
TPIC1533DWR
TPIC1533DWR
$0 $/Stück
SFW9520TM
SIHH120N60E-T1-GE3

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