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SIR426DP-T1-GE3

SIR426DP-T1-GE3

SIR426DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8

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SIR426DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.49200 -
6,000 $0.46890 -
15,000 $0.45240 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1160 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS016N06CT1G
NVMFS016N06CT1G
$0 $/Stück
EKI06051
EKI06051
$0 $/Stück
RQ6C050UNTR
IRF5305PBF
PSMN1R1-30PL,127
SIR698DP-T1-GE3
IRL540PBF
IRL540PBF
$0 $/Stück
IXFX360N15T2
IXFX360N15T2
$0 $/Stück
IXFH94N30T
IXFH94N30T
$0 $/Stück

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