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SIR698DP-T1-GE3

SIR698DP-T1-GE3

SIR698DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8

nicht konform

SIR698DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.58212 -
6,000 $0.55301 -
15,000 $0.53222 -
3000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 195mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 210 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 23W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IRL540PBF
IRL540PBF
$0 $/Stück
IXFX360N15T2
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$0 $/Stück
IXFH94N30T
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$0 $/Stück
IRFW840BTM
MMBF170Q-13-F
IXFR102N30P
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$0 $/Stück
NTMFSC010N08M7
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STD10NF30
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