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IRFW840BTM

IRFW840BTM

IRFW840BTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFW840BTM Technisches Datenblatt

compliant

IRFW840BTM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.44000 $0.44
500 $0.4356 $217.8
1000 $0.4312 $431.2
1500 $0.4268 $640.2
2000 $0.4224 $844.8
2500 $0.418 $1045
4800 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 800mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 53 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.13W (Ta), 134W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

MMBF170Q-13-F
IXFR102N30P
IXFR102N30P
$0 $/Stück
NTMFSC010N08M7
NTMFSC010N08M7
$0 $/Stück
STD10NF30
STD10NF30
$0 $/Stück
SIR188DP-T1-RE3
DMP2165UW-13
HUF75321D3ST
HUF75321D3ST
$0 $/Stück
SI1077X-T1-GE3
STD10N60DM2

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