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SIR5708DP-T1-RE3

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SIR5708DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

nicht konform

SIR5708DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.58000 $1.58
500 $1.5642 $782.1
1000 $1.5484 $1548.4
1500 $1.5326 $2298.9
2000 $1.5168 $3033.6
2500 $1.501 $3752.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9.5A (Ta), 33.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 23mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 975 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IXTA1N120P-TRL
IXTA1N120P-TRL
$0 $/Stück
SIHP12N60E-BE3
SCTW90N65G2V
SIHB24N65EFT1-GE3
MCQ05N15-TP
PSMNR60-25YLHX
RF6C055BCTCR
2SK3004
2SK3004
$0 $/Stück

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