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SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

nicht konform

SIR770DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.55760 -
6,000 $0.53142 -
15,000 $0.51272 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A
rds ein (max) @ id, vgs 21mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 900pF @ 15V
Leistung - max. 17.8W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual
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Zugehörige Teilenummer

NTHD3102CT1G
NTHD3102CT1G
$0 $/Stück
ZXMC3A16DN8TA
SI4946BEY-T1-GE3
EMH2308-TL-E
EMH2308-TL-E
$0 $/Stück
SQJB80EP-T1_BE3
BUK9K13-60EX
IRF7389PBF
RF1S17N06L
RF1S17N06L
$0 $/Stück

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