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SIRA16DP-T1-GE3

SIRA16DP-T1-GE3

SIRA16DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8

compliant

SIRA16DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.26781 -
6,000 $0.25043 -
15,000 $0.24174 -
30,000 $0.23700 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 47 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2060 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

FDS2070N7
DMG2301LK-7
IRF7726TRPBF
SI4421DY-T1-GE3
IRFR9220TRRPBF
IXTH12N150
IXTH12N150
$0 $/Stück
DMP2110UFDBQ-7
IXTP1R6N50D2
IXTP1R6N50D2
$0 $/Stück

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