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IXTH12N150

IXTH12N150

IXTH12N150

IXYS

MOSFET N-CH 1500V 12A TO247

IXTH12N150 Technisches Datenblatt

compliant

IXTH12N150 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $9.58300 $287.49
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2Ohm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 106 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3720 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 890W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

DMP2110UFDBQ-7
IXTP1R6N50D2
IXTP1R6N50D2
$0 $/Stück
IRFZ48STRLPBF
SIHB120N60E-GE3
STL66N3LLH5
IRF6613TRPBF
DMN2020LSN-7
STB7ANM60N
STB7ANM60N
$0 $/Stück
STF7N90K5
STF7N90K5
$0 $/Stück

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