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SIRA18BDP-T1-GE3

SIRA18BDP-T1-GE3

SIRA18BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8

compliant

SIRA18BDP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.51000 $0.51
500 $0.5049 $252.45
1000 $0.4998 $499.8
1500 $0.4947 $742.05
2000 $0.4896 $979.2
2500 $0.4845 $1211.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.83mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 680 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

STP4N150
STP4N150
$0 $/Stück
FDMT800100DC
FDMT800100DC
$0 $/Stück
2N7008-G
2N7008-G
$0 $/Stück
FDS2170N7
PMV30UN2VL
PMV30UN2VL
$0 $/Stück
MTW8N50E
MTW8N50E
$0 $/Stück
NTD95N02R-001
NTD95N02R-001
$0 $/Stück

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