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FDMT800100DC

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL

compliant

FDMT800100DC Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $3.57500 -
1669 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 24A (Ta), 162A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.95mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 111 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7835 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-Dual Cool™88
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

2N7008-G
2N7008-G
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FDS2170N7
PMV30UN2VL
PMV30UN2VL
$0 $/Stück
MTW8N50E
MTW8N50E
$0 $/Stück
NTD95N02R-001
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$0 $/Stück
IXTT6N120
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FQPF9N90CT
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