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IXTT6N120

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IXYS

MOSFET N-CH 1200V 6A TO268

IXTT6N120 Technisches Datenblatt

compliant

IXTT6N120 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $8.26167 $247.8501
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.6Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 56 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1950 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

FQPF9N90CT
FQPF9N90CT
$0 $/Stück
SISH402DN-T1-GE3
BUK9Y43-60E,115
PSMN4R8-100YSEX
IXFH28N60P3
IXFH28N60P3
$0 $/Stück
TP90H050WS
TP90H050WS
$0 $/Stück
NTK3139PT5G
NTK3139PT5G
$0 $/Stück

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