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SIRA22DP-T1-RE3

SIRA22DP-T1-RE3

SIRA22DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

compliant

SIRA22DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.70192 -
6,000 $0.66896 -
15,000 $0.64542 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.76mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (max) +16V, -12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7570 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 83.3W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

NTD95N02R-1G
NTD95N02R-1G
$0 $/Stück
NTD4854N-1G
NTD4854N-1G
$0 $/Stück
DMT10H025SSS-13
SQJ460AEP-T2_GE3
DMN1019USN-7
RFP4N05
RFP4N05
$0 $/Stück
SISHA14DN-T1-GE3

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