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SQJ460AEP-T2_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 58A PPAK SO-8

nicht konform

SQJ460AEP-T2_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.60984 $0.60984
500 $0.6037416 $301.8708
1000 $0.5976432 $597.6432
1500 $0.5915448 $887.3172
2000 $0.5854464 $1170.8928
2500 $0.579348 $1448.37
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 58A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.7mOhm @ 10.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 106 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2654 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 68W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

DMN1019USN-7
RFP4N05
RFP4N05
$0 $/Stück
SISHA14DN-T1-GE3
SIHF15N60E-E3
RQ7G080ATTCR
SFT1440-E
SFT1440-E
$0 $/Stück
FDMS4D5N08LC
FDMS4D5N08LC
$0 $/Stück
DMTH43M8LK3-13

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