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SIRA54DP-T1-GE3

SIRA54DP-T1-GE3

SIRA54DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

compliant

SIRA54DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.61336 -
6,000 $0.58456 -
15,000 $0.56399 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.35mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 48 nC @ 4.5 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5300 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 36.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

SQJA04EP-T1_BE3
IXFK24N100Q3
IXFK24N100Q3
$0 $/Stück
STB11N65M5
STB11N65M5
$0 $/Stück
PMPB43XPE,115
NP60N04ILF-E1-AZ
NP60N04ILF-E1-AZ
$0 $/Stück
FQP4N20L
FQP4N20L
$0 $/Stück
SIR582DP-T1-RE3
SI4864DY-T1-E3
NX3008NBK,215

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