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SIR582DP-T1-RE3

SIR582DP-T1-RE3

SIR582DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

nicht konform

SIR582DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.74000 $1.74
500 $1.7226 $861.3
1000 $1.7052 $1705.2
1500 $1.6878 $2531.7
2000 $1.6704 $3340.8
2500 $1.653 $4132.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 28.9A (Ta), 116A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 67 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3360 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

SI4864DY-T1-E3
NX3008NBK,215
DMTH6016LFVW-7
BUK7M15-40HX
SCH1337-TL-H
SCH1337-TL-H
$0 $/Stück
BSP89,115
BSP89,115
$0 $/Stück
IXFH98N60X3
IXFH98N60X3
$0 $/Stück
IRFS640A
SIR681DP-T1-RE3
STW77N65M5
STW77N65M5
$0 $/Stück

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