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BSP89,115

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MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223

BSP89,115 Technisches Datenblatt

nicht konform

BSP89,115 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.25440 -
2,000 $0.23460 -
5,000 $0.22140 -
10,000 $0.20820 -
25,000 $0.19896 -
50,000 $0.19800 -
5032 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 240 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 375mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5Ohm @ 340mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 120 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223
Paket / Koffer TO-261-4, TO-261AA
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Zugehörige Teilenummer

IXFH98N60X3
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$0 $/Stück
IRFS640A
SIR681DP-T1-RE3
STW77N65M5
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$0 $/Stück
SISHA04DN-T1-GE3
IRLR014TRLPBF
FCMT180N65S3
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APT9F100B
RCX330N25
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STP70NF03L
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