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FCMT180N65S3

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onsemi

MOSFET N-CH 650V 17A POWER88

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FCMT180N65S3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.11583 -
6,000 $1.07450 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 1.8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1350 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 139W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Power88
Paket / Koffer 4-PowerTSFN
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IXTP86N20T
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