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IRFS640A

IRFS640A

IRFS640A

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFS640A Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFS640A Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.46000 $0.46
500 $0.4554 $227.7
1000 $0.4508 $450.8
1500 $0.4462 $669.3
2000 $0.4416 $883.2
2500 $0.437 $1092.5
2576 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 43W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SIR681DP-T1-RE3
STW77N65M5
STW77N65M5
$0 $/Stück
SISHA04DN-T1-GE3
IRLR014TRLPBF
FCMT180N65S3
FCMT180N65S3
$0 $/Stück
APT9F100B
RCX330N25
RCX330N25
$0 $/Stück
STP70NF03L
STP70NF03L
$0 $/Stück
SQD90P04-9M4L_GE3
IXTP86N20T
IXTP86N20T
$0 $/Stück

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