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SIRA60DP-T1-GE3

SIRA60DP-T1-GE3

SIRA60DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

compliant

SIRA60DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.70192 -
6,000 $0.66896 -
15,000 $0.64542 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.94mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 4.5 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7650 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 57W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

SCT20N120
SCT20N120
$0 $/Stück
BUK7Y14-80EX
IXKT70N60C5-TUB
IXKT70N60C5-TUB
$0 $/Stück
BSP125L6327
FDMS86350
FDMS86350
$0 $/Stück
NTNS3A65PZT5G
NTNS3A65PZT5G
$0 $/Stück
FCPF400N80Z
FCPF400N80Z
$0 $/Stück
SQM25N15-52_GE3
NTF3055-160T3
NTF3055-160T3
$0 $/Stück
STD25N10F7
STD25N10F7
$0 $/Stück

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