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SQM25N15-52_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 25A TO263

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SQM25N15-52_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.14708 $917.664
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 52mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 51 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2360 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 107W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NTF3055-160T3
NTF3055-160T3
$0 $/Stück
STD25N10F7
STD25N10F7
$0 $/Stück
ZVN2106ASTZ
IXFX98N50P3
IXFX98N50P3
$0 $/Stück
IXKC20N60C
IXKC20N60C
$0 $/Stück
SI4497DY-T1-GE3
MCH6344-TL-H
MCH6344-TL-H
$0 $/Stück

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