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SIS106DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK

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SIS106DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.49823 -
6,000 $0.47484 -
15,000 $0.45813 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9.8A (Ta), 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 18.5mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 540 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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