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SIS176LDN-T1-GE3

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SIS176LDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE

nicht konform

SIS176LDN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.98000 $0.98
500 $0.9702 $485.1
1000 $0.9604 $960.4
1500 $0.9506 $1425.9
2000 $0.9408 $1881.6
2500 $0.931 $2327.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 70 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 3.3V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1660 pF @ 35 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

BUK964R2-55B,118
IRFH8325TRPBF
RFP70N03
RFP70N03
$0 $/Stück
NVMFS6H800NLT1G
NVMFS6H800NLT1G
$0 $/Stück
DMTH8028LPSW-13
NTMFS5C430NT3G
NTMFS5C430NT3G
$0 $/Stück
FDD86569-F085
FDD86569-F085
$0 $/Stück
PMT200EN,115
PMT200EN,115
$0 $/Stück

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