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SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

compliant

SIS413DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.25425 -
6,000 $0.23775 -
15,000 $0.22950 -
30,000 $0.22500 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4280 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

IXFH26N100X
IXFH26N100X
$0 $/Stück
HUF75829D3
FDG312P
R6011KNXC7G
STB80N20M5
STB80N20M5
$0 $/Stück
FDMA8051L
FDMA8051L
$0 $/Stück
SIHF6N40D-E3
SIHF6N40D-E3
$0 $/Stück
NTR4003NT1G
NTR4003NT1G
$0 $/Stück

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