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SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8

compliant

SIS435DNT-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.33900 -
6,000 $0.31700 -
15,000 $0.30600 -
30,000 $0.30000 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 900mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 180 nC @ 8 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5700 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

PSMN027-100XS,127
BUK965R4-40E,118
FDB2552
FDB2552
$0 $/Stück
NTD4906NA-35G
NTD4906NA-35G
$0 $/Stück
EKI07117
EKI07117
$0 $/Stück
EPC2207
EPC2207
$0 $/Stück
SQP10250E_GE3
ZVN4306A
ZVN4306A
$0 $/Stück

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