Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIS472BDN-T1-GE3

SIS472BDN-T1-GE3

SIS472BDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK

compliant

SIS472BDN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.23100 $0.231
500 $0.22869 $114.345
1000 $0.22638 $226.38
1500 $0.22407 $336.105
2000 $0.22176 $443.52
2500 $0.21945 $548.625
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15.3A (Ta), 38.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21.5 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1000 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SIR606DP-T1-GE3
STWA68N60M6
STF25N80K5
STF25N80K5
$0 $/Stück
IRFP9140NPBF
FQD2N90TF
FQA12N60
NVMFS6H818NLT1G
NVMFS6H818NLT1G
$0 $/Stück
CSD23203W
CSD23203W
$0 $/Stück
SI7421DN-T1-E3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.