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SIS472DN-T1-GE3

SIS472DN-T1-GE3

SIS472DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8

nicht konform

SIS472DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.30510 -
6,000 $0.28530 -
15,000 $0.27540 -
30,000 $0.27000 -
3000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 997 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

DMN3066L-7
SQA405EJ-T1_GE3
DMN6040SVT-7
3LP01M-TL-H
3LP01M-TL-H
$0 $/Stück
FDMS3662
FDMS3662
$0 $/Stück
IXTT11P50
IXTT11P50
$0 $/Stück

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