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SIS822DNT-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8

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SIS822DNT-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
6,000 $0.12123 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 24mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 435 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 15.6W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

IXFA12N50P
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FQU10N20CTU
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FDZ661PZ
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FDB016N04AL7
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