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SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK

SOT-23

nicht konform

SIS888DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.77490 -
6,000 $0.73852 -
15,000 $0.71253 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 58mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 420 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TA)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

BUK963R2-40B,118
FDS5670
FDS5670
$0 $/Stück
SQM50P04-09L_GE3
IXTY32P05T
IXTY32P05T
$0 $/Stück
BUK7523-75A,127
BUK7523-75A,127
$0 $/Stück
SSU1N60BTU
RD3G07BATTL1
C3M0016120D
C3M0016120D
$0 $/Stück

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