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SQM50P04-09L_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO263

nicht konform

SQM50P04-09L_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.20965 $967.72
1,600 $1.11012 -
2,400 $1.03356 -
5,600 $0.99528 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 145 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6045 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IXTY32P05T
IXTY32P05T
$0 $/Stück
BUK7523-75A,127
BUK7523-75A,127
$0 $/Stück
SSU1N60BTU
RD3G07BATTL1
C3M0016120D
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$0 $/Stück
FCH023N65S3-F155
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STD7N60DM2
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IXFX360N10T
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