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SISA14DN-T1-GE3

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SISA14DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8

nicht konform

SISA14DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.28815 -
6,000 $0.26945 -
15,000 $0.26010 -
30,000 $0.25500 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.1mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1450 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

STF22N60M6
STF22N60M6
$0 $/Stück
DMP4015SK3-13
DMP3010LK3-13
APT40M35JVR
FDP027N08B-F102
FDP027N08B-F102
$0 $/Stück
C3M0075120K
C3M0075120K
$0 $/Stück
SQJA38EP-T1_GE3
RSQ015N06HZGTR

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