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SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8

nicht konform

SISA18ADN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.23870 -
6,000 $0.22330 -
15,000 $0.20790 -
30,000 $0.19712 -
1185 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 38.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21.5 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1000 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

NVB5404NT4G
NVB5404NT4G
$0 $/Stück
FQP7P06
FQP7P06
$0 $/Stück
SI7119DN-T1-GE3
PMH1200UPEH
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$0 $/Stück
STU5N95K3
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$0 $/Stück
SQM50P03-07_GE3
DMT6006LSS-13
STF32NM50N
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