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SQM50P03-07_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263

nicht konform

SQM50P03-07_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.20965 $967.72
1,600 $1.11012 -
2,400 $1.03356 -
5,600 $0.99528 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5380 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TA)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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