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SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8

compliant

SISA66DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
6,000 $0.41476 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 66 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3014 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

IRFI4410ZPBF
IXFA12N65X2-TRL
IXFA12N65X2-TRL
$0 $/Stück
IXTP80N10T
IXTP80N10T
$0 $/Stück
IRF620PBF
IRF620PBF
$0 $/Stück
DMN4020LFDE-13
RU1C002UNTCL
STF11N65M5
STF11N65M5
$0 $/Stück
SUD23N06-31-T4-GE3

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