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SISH536DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

nicht konform

SISH536DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.66000 $0.66
500 $0.6534 $326.7
1000 $0.6468 $646.8
1500 $0.6402 $960.3
2000 $0.6336 $1267.2
2500 $0.627 $1567.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 24.7A (Ta), 67.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.25mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) +16V, -12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1150 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8SH
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8SH
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Zugehörige Teilenummer

SIHB180N60E-GE3
AUIRFB8409
2N7002HSX
2N7002HSX
$0 $/Stück
TN2501N8-G
IXFQ60N25X3
IXFQ60N25X3
$0 $/Stück
MMDF7N02ZR2
MMDF7N02ZR2
$0 $/Stück
STU2N105K5
STU2N105K5
$0 $/Stück

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