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SISH617DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK

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SISH617DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.41189 -
6,000 $0.38516 -
15,000 $0.37179 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13.9A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 59 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1800 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8SH
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8SH
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Zugehörige Teilenummer

NTHS5443T1
NTHS5443T1
$0 $/Stück
SUD80460E-GE3
PMT200EPEX
PMT200EPEX
$0 $/Stück
IXFA80N25X3-TRL
IXFA80N25X3-TRL
$0 $/Stück
SI4634DY-T1-GE3
SI4848DY-T1-E3

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