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PMT200EPEX

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MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223

SOT-23

PMT200EPEX Technisches Datenblatt

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PMT200EPEX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.24310 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 70 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 167mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15.9 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 822 pF @ 35 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 800mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223
Paket / Koffer TO-261-4, TO-261AA
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Zugehörige Teilenummer

IXFA80N25X3-TRL
IXFA80N25X3-TRL
$0 $/Stück
SI4634DY-T1-GE3
SI4848DY-T1-E3
RZF020P01TL
FDMC86570L
FDMC86570L
$0 $/Stück
STP130N8F7
STP130N8F7
$0 $/Stück
SI7230DN-T1-E3

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